Переходный отклик фотовозбужденных электронов с частично-инвертированным распределением
Ф. Т. Васько
Институт физики полупроводников, НАН Украины, 03028 Киев, Украина
PACS: 72.20.My, 78.47.+p
Abstract
Исследован нестационарный магнитотранспорт электронов с
частично-инвертированным распределением формирующимся в
пассивной области после ультракороткого междузонного
фотовозбуждения и испускания каскада оптических фононов.
В случае пикового распределения внутри пассивной области
проводимость положительна из-за большего вклада спадающей
части распределения, тогда как за счет инвертированной части
распределения может возникать отрицательное магнитосопротивление
в классических полях. Если же энергия возбуждаемых в c-зоне
фотоэлектронов кратна энергии оптфонона, то имеет место пара
полупиков на границах пассивной области, причем вклад
инвертированной части распределения (с энергией близкой к
энергии фонона) приводит к абсолютной отрицательной проводимости
и к существенному изменению магнитотранспорта.