|
|
| VOLUME 60 (1994) | ISSUE 4 |
PAGE 267
|
Термодинамика электрон-дырочных флуктуации и формирование экситонной фазы в слоистых полупроводниковых структурах
Жуковский Е.А., Тугушев В.В.
Рассмотрена термодинамика формирования экситонной фазы в слоистой полупроводниковой структуре с узкой запрещенной зоной для модели с сильной фиксацией фазы параметра порядка. Расчеты проведены в рамках самосогласованной флуктуационной теории для статических флуктуаций амплитуды параметра порядка. Показано, что температура перехода в экситонную фазу Тс, полученная с учетом флуктуационных эффектов, существенно ниже температуры I*, рассчитанной в приближении среднего поля, причем фазовый переход в точке Тс является переходом первого рода. В квазидвумерной системе температура переохлаждения нормальной фазы Т'(Т' < Тс) конечна, тогда как в чисто двумерной ситуации Т' -О; температура перегрева экситонной фазы Т" > Тс. В широком температурном интервале Тс <Т < Т° реализуется фаза с ближним порядком.
|
|
Home
![](/ps/338/article_5345_800_head.png "Рассмотрена термодинамика формирования экситонной фазы в слоистой полупроводниковой структуре с узкой запрещенной зоной для модели с сильной фиксацией фазы параметра порядка. Расчеты проведены в рамках самосогласованной флуктуационной теории для статических флуктуаций амплитуды параметра порядка. Показано, что температура перехода в экситонную фазу <b><i>Т<sub>с</sub>, </i></b>полученная с учетом флуктуационных эффектов, существенно ниже температуры I*, рассчитанной в приближении среднего поля, причем фазовый переход в точке Т<sub>с</sub> является переходом первого рода. В квазидвумерной системе температура переохлаждения нормальной фазы <b><i>Т'(Т' < Т<sub>с</sub>) </i></b>конечна, тогда как в чисто двумерной ситуации Т' -О; температура перегрева экситонной фазы <b><i>Т" > Т<sub>с</sub>. </i></b>В широком температурном интервале <b><i>Т<sub>с</sub> <Т < Т° </i></b>реализуется фаза с ближним порядком.")