Эволюция примесной зоны при низкотемпературном эффекте поля в слабокомпенсированном кремнии с высоким уровнем легирования
Веденеев А.С., Гайворонский А. Г., Ждан А.Г., Моделли А., Рыльков В.В., Ткач Ю.Я.
Обнаружено, что при низкотемпературном эффекте поля в Si:B с концентрацией бора 1017*,8см~3 поверхностные каналы проводимости формируются при относительно высоких напряжениях полевого электрода, изменяющихся с уровнем легирования. Показано, что при обеднении поверхности Si дырками эффект связан с генерацией флуктуационного потенциала вследствие перезарядки примеси, а при обогащении с заполнением верхней зоны Хаббарда в условиях квантования дырочного газа.
Home
