Home
| VOLUME 79 (2004) | ISSUE 10 | PAGE 592 |
|---|
|
Энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных из p-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством
А. А. Пахневич+*, В. В. Бакин+, А. В. Язьков*, Г. Э. Шайблер+, С. В Шевелев+, О. Е. Терещенко+*, А. С. Ярошевич+, А. С. Терехов+* +Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия *Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия PACS: 67.57.Lm, 76.60.-k
Abstract
Изучены энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных в вакуум из валентной зоны и из локализованных состояний в запрещенной зоне p-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством. Показано, что на низкоэнергетическом пороге внешнего фотоэффекта доминирующим механизмом фотоэмиссии является фототермическое возбуждение электронов из локализованных состояний в запрещенной зоне p-GaN(Cs,O), лежащих ниже уровня Ферми. |