Анизотропное положительное магнетосопротивление непланарного двумерного электронного газа в параллельном магнитном поле
А. В. Горан, А. А. Быков, А. К. Бакаров, Ж. К. Портал+
Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
+Grenoble High Magnetic Fields Laboratory, MPI-FKF and CNRS B.P.166, F-38042 Grenoble, France
PACS: 73.23.-b, 73.40.Gk
Abstract
Исследованы магнетотранспортные свойства двумерного электронного
газа в узких GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами.
Показано, что анизотропное положительное магнетосопротивление,
обнаруженное в изучаемых селективно-легированных полупроводниковых
структурах в параллельном магнитном поле, обусловлено пространственной
модуляцией двумерного электронного газа.