Экситон-экситонное взаимодействие в спектрах электролюминесценции кристалла GaSe
Абуталыбов Г.И.
Обнаружено стимулированное излучение в области края фундаментального поглощения в кристаллах GaSe при 77 К, обусловленное экситон-экситонным взаимодействием.