Соизмеримые осцилляции магнетосопротивления двумерного электронного газа в GaAs квантовых ямах с корругированными гетерограницами
А. К. Бакаров, А. А. Быков, Н. Д. Аксенова, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. И. Торопов
Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН 630090 Новосибирск, Россия
PACS: 73.23.-b
Abstract
В выращенных при помощи молекулярно лучевой эпитаксии
селективно легированных GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными
барьерами обнаружены осцилляции магнетосопротивления, соизмеримые с
периодом пространственной модуляции ростовых поверхностей. Полученные
экспериментальные данные объясняются латеральной потенциальной
модуляцией двумерного электронного газа в узких GaAs квантовых
ямах с корругированными гетерограницами и согласуются с двумерным
распределением локальной емкости в таких структурах.