Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 61-80
   Volumes 41-60
   Volumes 1-20
   Volumes 21-40
      Volume 40
      Volume 39
      Volume 38
      Volume 37
      Volume 36
      Volume 35
      Volume 34
      Volume 33
      Volume 32
      Volume 31
      Volume 30
      Volume 29
      Volume 28
      Volume 27
      Volume 26
      Volume 25
      Volume 24
      Volume 23
      Volume 22
      Volume 21
Search
VOLUME 37 (1983) | ISSUE 10 | PAGE 462
Влияние поверхностной рекомбинации на фотоэлектронную эмиссию из полупроводников с отрицательным электронным сродством
PACS: 72.40.+w, 72.10.Fk, 73.20.Hb
Показано, что скорость поверхностной рекомбинации S на GaAsn InGaAsP с отрицательным электронным сродством достигает величин ~ 106 см/с и оказьюает сильное влияние на квантовый выход фото эмиссии. Проведенный анализ показывает, что большие значения S определяются частично диффузным отражением электронов от поверхности.