Исследование формы плато квантованного холловского сопротивления в двумерном слое носителей в кремнии
Пудалов В.М., Семенчинский С.Г.
PACS: 73.40.Qv
Для двумерных слоев носителей в Si-структурах металл диэлектрик полупроводник изучена форма плато холлов ского сопротивления в диапазоне относительных отклонений δ =10~б-г10"2. Выявлена логарифмическая зависимость ширины плато от отклонения δ и линейная от температуры.