Влияние магнитного поля на температуру перехода антиферромагнитного Mn0,5Zn0,5,F2
Дробинин А.В., Ципению Ю.М.
PACS: 75.30.Kz, 75.50.Ee, 75.25.+z
Методом дифракции нейтронов исследовалась температурная зависимость интенсивности магнитного рассеяния от плоскостей (100) кристалла Мпо, 5^0,5^2 в отсутствии поля и в магнитном поле, параллельном оси легкого намагничивания. В поле Η = 20 кЭ температура перехода уменьшается на величину 1,3 ± 0,3 К, что, по-видимому, является проявлением эффекта хаотического магнитного поля.
|