Проявление антирезонанса Фано в возбужденных состояниях экситонов в CdS
Страшникова М.И., Комаров А.В., Резниченко В.Я., Черный В.В., Абрамишвили В.Г.
PACS: 71.35.+z, 71.25.Tn
На основании спектральных и магнитооптических исследований впервые показано» что дублетная форма полос поглощения., наблюдающаяся при низких температурах на очень тонких монокристаллах CdS в области экситонов с главным квантовым шелом п= 2, обусловлена анти резонансным взаимодействием Sи Р-со стояний, аналогичным эффекту Фано.