Дисперсия времен жизни локализованных экситонов в твердом растворе CdS1-xSex
Пермогоров С А., Резницкий А.Н., Вербин С.Ю., Бонч-Бруевич В.А.
PACS: 71.35.+z, 71.50.+t
Установлено, что времена жизни локализованных экситонов в системе CdSi^Se^ сильно зависят от глубины локализации. Эта зависимость отражает дисперсию излучательных времен для. мелких локализованных состояний.