Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 78 (2003) | ISSUE 1 | PAGE 26
Сосуществование антиферромагнитной и парамагнитной электронных фаз в квазиодномерном соединении (TMTSF)2PF6
Abstract
Экспериментально изучался характер фазовых переходов в квазиодномерном органическом соединении (TMTSF)2PF6 в тесной окрестности границ между парамагнитным металлическим PM, антиферромагнитным AFI и сверхпроводящим SC состояниями. Для управляемого пересечения фазовой границы образец поддерживался при постоянных температуре T и давлении P, а величина критического давления перестраивалась изменением магнитного поля B. Обнаружено, что при пересечении фазовой границы PM-AFI путем развертки магнитного поля возникают эффекты истории: сопротивление зависит от траектории, по которой система попала в данную точку P-B-T фазового пространства. Полученные результаты свидетельствуют о возникновении макроскопически неоднородного состояния, в котором имеются пространственно разделенные включения миноритарной фазы в основную. При значительном удалении от границы восстанавливается однородное состояние; после этого, при обратном приближении к фазовой границе (то есть развертке поля), признаки миноритарной фазы практически отсутствуют вплоть до самой границы.