Резонансное обратное рассеяние в субмикронных кольцах
А. А. Быков, Д. В. Номоконов, А. К. Бакаров, О. Естибаль+2), Ж. К. Портал+
Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН 630090 Новосибирск, Россия
+Grenoble High Magnetic Fields Laboratory, MPI-FKF and CNRS B.P.166, F-38042 Grenoble, France
PACS: 73.23.-b, 73.40.Gk
Abstract
В субмикронных кольцах, изготовленных на основе двумерного
электронного газа в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs
сверхрешеточными барьерами, обнаружены квазипериодические пики
сопротивления по затворному напряжению, исчезающие в магнитных полях
более 1 Тл. Наблюдаемое в максимумах пиков отрицательное
магнетосопротивление объясняется подавлением магнитным полем
резонансного обратного рассеяния, возникающего в треугольных квантовых
точках, расположенных в областях разветвления кольцевого
интерферометра.