Квантовая локализация электронов в области перехода металл - диэлектрик в GaSb<Se>
Брандт Н.Б., Демишев С.В., Дмитриев А.А., Мощалков В.В.
PACS: 71.50.+t, 71.55.Ht, 71.30.+h, 72.80.Ey
Обнаружено, что в монокристаллах GaSb, легированных Se, при уменьшенш концентрации электронов в Г-зоне квантовые поправки к проводимости приводят* к сильной локализации электронов, которая наступает при энергии Ферми ~~ 25 мэВ, отсчитанной от дна неискаженной Г-зоны.