Отражение электрон-фононного взаимодействия в ванадии на характеристиках тунельных переходов V - окись - Au
Веденеев С.И., Погребняков А.В.
PACS: 73.40.Rw
Исследованы характеристики пленочных туннельных переходов V -окись — Аи. Положение минимумов на вторых производных вольт-амперных характеристик туннельных переходов согласуется с положением особенностей в плотности состояний фононов ванадия.