Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 80 (2004) | ISSUE 5 | PAGE 385
Влияние одноосного статического давления на поведение акцепторной примеси алюминия в кремнии
PACS: 71.55.Cn, 76.75.+i
Abstract
Представлены результаты исследования влияния одноосного давления на поведение мелких акцепторных центров алюминия в кремнии. Примесные атомы μ Al в образце кристаллического кремния с примесью фосфора (1.6 •1013 см-3 - первый образец, 1.9•1013 см-3 - второй образец) создавались путем имплантации отрицательных мюонов. Поляризация мюонов была исследована в поперечном спину мюона магнитном поле величиной 2.5 кГс в диапазоне температур 10-300 К. Направление выбранной оси кристалла ([111] в первом образце, [100] - во втором), внешнего магнитного поля и начальной поляризации спина мюона были взаимноперпендикулярны. Обнаружено, что внешнее давление, приложенное вдоль указанной оси кристалла, приводит к изменению как абсолютной величины скорости релаксации магнитного момента акцепторного центра, так и характера ее температурной зависимости.