О механизме релаксации фазы волновой функции электрона в GaAs n-типа
Емельяненко О.В., Лагунова Т.С., Полянская Т.А.
PACS: 72.20.Jv; 72.20.My; 72.80.Ey; 71.38.+i
По зависимостям проводимости от магнитного поля при гелиевых температурах оценено время релаксации фазы и показано, что оно определяется электрон-фононными столкновениями и временем жизни одночастичных возбуждений в условиях малой длины свободного пробега.