Квазиклассическое отрицательное магнетосопротивление двумерного электронного газа при рассеянии на короткодействующем и дальнодействующем потенциалах
А. А. Быков, А. К. Бакаров, А. В. Горан, Н. Д. Аксенова, А. В. Попова, А. И. Торопов
Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
PACS: 73.23.-b
Abstract
Изучено магнетосопротивление (МС) двумерного электронного газа (ДЭГ) в
узких GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами в
области классических магнитных полей. Показано, что обнаруженное в таких
структурах с непланарными гетерограницами отрицательное МС является
квазиклассическим и качественно согласуется с моделью отрицательного МС
при рассеянии носителей заряда на двух типах случайного потенциала,
короткодействующем и дальнодействующем.