О влиянии сильных электрического и магнитного полей на пространственную дисперсию и анизотропию оптических свойств полупроводника
В. Н. Родионов, Г. А. Кравцова, А. М. Мандель
Московский государственный геологоразведочный университет, 118873 Москва, Россия
PACS: 11.10.-z
Abstract
Непертубативными методами построено выражение (в виде
однократного интеграла) для
поляризационного оператора фотона в полупроводнике, находящемся
в сильных стационарных электрическом и магнитном полях
произвольной ориентации. Учтена пространственная дисперсия и
показано, при каких конфигурациях внешних полей ее влияние
несущественно. Получены асимптотические соотношения для
зависимости коэффициентов поглощения и преломления от
характеристик поля. Установлено, что пренебрежение спином частиц
ведет к принципиально неверному представлению о влиянии
магнитного поля на оптические свойства непроводящих кристаллов.