Многоэлектронные кулоновские корреляции в прыжковом транспорте вдоль слоев квантовых точек
А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, М. Н. Тимонова+
Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
+Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
PACS: 73.20.Mf, 73.50.Pz
Abstract
Проанализированы экспериментальные данные, относящиеся к прыжковому
транспорту дырок в двумерных слоях квантовых точек (КТ) Ge/Si(001) в условиях
существования дальнодействующего кулоновского взаимодействия локализованных
в КТ носителей заряда, когда температурная зависимость проводимости
подчиняется закону Эфроса-Шкловского. Обнаружено значительное отклонение
параметров прыжковой проводимости от предсказаний модели одноэлектронных
возбуждений в "кулоновских стеклах". Установлено, что определяющую роль в
процессах прыжкового переноса заряда между КТ играют многочастичные
кулоновские корреляции перемещений локализованных в КТ дырок, приводящие к
существенному снижению кулоновских барьеров для туннелирования носителей
заряда.