О бистабильном поведении низкочастотной комбинационно активной фононной линии в сверхпроводящем оксиде Ba1-xKxBiO 3
А. П. Сайко, C. A. Маркевич
Институт физики твердого тела и полупроводников НАН Беларуси, 220072 Минск, Беларусь
PACS: 74.25.Kc, 74.25.Gz
Abstract
Дано теоретическое объяснение двухпетлевого
температурного гистерезиса интегральной интенсивности
комбинационного рассеяния света для линии с частотой 50 см-1
в монокристалле сверхпроводящего оксида Ba1-xKxBiO3.