|
VOLUME 29 (1979) | ISSUE 6 |
PAGE 369
|
Возгорание экситона в поле барьера Шоттки
Киселев В.А.
PACS: 71.35.+z, 73.30.+y
Обсуждается новый эффект возгорание экситонной. полосы отражения в поле барьера Шоттки на поверхности полупроводника. Приводятся результаты расчета, в котором впервые штарковская энергия и вероятность туннельной диссоциации экситона задавались как функции координаты., Подтверждаются результаты по электроотражению Ga As [1].
|
|