СВЧ пробой экситонов в Ge в постоянном магнитном поле
Маненков А.А., Миляев В.А., Санина В.А.
PACS: 71.35.+z
В работе обнаружено сильное влияние постоянного магнитного поля на характеристики импульсного СВЧ пробоя эк-ситонов у Ge в присутствии электронно-дырочных капель при Τ = 1,3 К. Зависимость пороговой мощности пробоя от величины магнитного поля сопоставлена со спектром циклотронного резонанса. Определена частота столкновений и температура горячих носителей. ■