Потери электронов многозарядным ионом при каналировании
Базылев В.А., Жеваго Н.К.
PACS: 61.80.Mk
Показано, что при движении многозарядного иона в кристалле в режиме каналирования при некоторых "резонансных" скоростях иона вероятность потери электронов ионом значительно возрастает. Предсказан также эффект подавления вероятности образования вакансий в более внешней оболочке по сравнению с внутренней.
Home
![](/ps/419/article_6599_800_head.png "<b>Показано, что при движении многозарядного иона в кристалле в режиме каналирования при некоторых "резонансных" скоростях иона вероятность потери электронов ионом значительно возрастает. Предсказан также эффект подавления вероятности образования вакансий в более внешней оболочке по сравнению с внутренней.</b>")