Кулоновское взаимодействие в тонких пленках полупроводников и полуметаллов
Келдыш Л.В.
PACS: 73.60.Fw, 71.35.+z, 71.55.Dp, 77.20.+y
Показано, что кулоновское взаимодействие в тонких пленках сильно возрастает с уменьшением толщины пленки, если ее диэлектрическая проницаемость много больше диэлектрической проницаемости подложки. Определена зависимость энергии связи экситонов и мелких примесных уровней от толщины пленки и соотношения диэлектрических прони-цаемостей. ι