Деполяризация горячей фотолюминесценции в кристаллах GaAs в магнитном поле
Мирлин Д.Н., Никитин Л.П., Решина И.И., Сапега В.Ф.
PACS: 78.55.Hx, 72.20.Jv
В кристаллах p-GaAs по изменению поляризационных характеристик горячей фотолюминесценции в магнитном поле зарегистрирован поворот функции распределения горячих электронов по импульсам. Это да-ло возможность измерить время жизни горячих электронов в состоянии с энергией 0,4 эВ. При концентрации акцепторов 1,2-1018 см"3 оно оказалось равным 5·10~14 сек.