Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 78 (2003) | ISSUE 5 | PAGE 757
О возможности прямого изучения локального электрон-фононного взаимодействия в полупроводниках
PACS: 42.65.-k, 61.72.Ji, 63.20.Mt, 71.55.Gs, 78.20.-e
Abstract
Локальное электрон-фононное взаимодействие в состояниях глубоких уровней дефектов полупроводников изучалось методами спектроскопии индуцированного поглощения света. На примере монокристаллов ZnS:Cu показано, что метод лазерной модуляции двухступенчатого примесного поглощения является эффективным инструментом для прямых исследований фононных релаксационных эффектов в состояниях глубоких дефектов. Показано, что локальные состояния в ZnS подвержены чрезвычайно сильной электрон-фононной связи.