К вопросу об электронном строении поверхности редкоземельных металлов
В. А. Герасимов, В. В. Герасимов+
Институт оптики атмосферы Сибирского отделения РАН, 634055 Томск, Россия
+Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия
PACS: 31.50.+w, 44.90.+c
Abstract
На основании выявленной корреляционной связи между энергией
наиболее низколежащих уровней конфигурации 4fN-15d6s2 и температурой
одинакового давления насыщенных паров в редкоземельных металлах с
достраивающейся 4f-оболочкой (Ce-Yb) предложена качественная модель их
поверхности и процесса термического испарения.