Двухфотонное комбинационное рассеяние при высоких уровнях возбуждения кристаллов CdS
Клингширн К., Лысенко В.Г., Шрай Х.
PACS: 78.30.Gt
Исследована зависимость положения, формы и интенсивности двух-фотонного комбинационного рассеяния в кристаллах CdS от температуры образца, Энергии фотона и плотности мощности возбуждающего излучения. Экспериментальные результаты объясняются в рамках взаимодей ствия в системе электронно-Дырочных пар высокой плотности.