Термооптические переходы при фотоструктурных превращениях в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (ХСП)
Аверьянов В.Л., Колобов А.В., Коломиец Б.Т., Любин В.М.
PACS: 78.30.Nv, 64.70.Kb
Обнаружен температурный порог фотопросветления в пленках As3Se2. Развита конфигурационная модель двух структурных состояний ХСП, между которымиосуществляются термооптические переходы. Модель позволяет объяснить как новые, так и ранее известные результаты исследования фотостимулированных процессов в ХСП.