Поляритоны в тонких полупроводниковых пленках
Келдыш Л.В.
PACS: 71.35.+z, 71.36.+c, 73.60.Fw, 78.20.Dj
Показано, что в полупроводниковых пленках, толщина которых меньше эффзктивного радиуса экситонов, а диэлектрическая проницаемость много больше диэлектрической проницаемости окружающей пленку среды, силы осцилляторов экситонов резко возрастают с уменьшением толщины пленки. В окрестности экситонных линий при этом увеличивается отражательная способность пленки и создаются условия для распространения локализованных вблизи пленки электромагнитных волн-поляритогов.