Аномальная анизотропия подвижности электронов в пластически деформированном кремнии с малой плотностью дислокаций
Еременко В.Г., Никитенко В.И., Якимов Е.Б.
PACS: 72.80.Cw, 72.20.Dp, 71.55.Dp
Обнаружен новый механизм формирования анизотропии электропроводности полупроводников, обусловленный изменением состояния примеси в объеме кристалла, прилегающем к части плоскости скольжения обметенной дислокацией в процессе пластического деформирования.