Подавление эффекта Стеблера - Вронского в аморфном гидрогенизированном кремнии при ионной имплантации галлия и мышьяка
Акимченко И.П., Вавилов В.С., Дымова Н.Н., Краснопевцев В.В., Родина А.А,, Уткин-Эдин Д.П.
PACS: 72.40.+w, 61.70.Tm
Фотоиндуцированное изменение темнового сопротивления и фото-сопротив,ления (эффект >Стеблера — Вронского) исследовано в гидроге-низированном аморфном кремнии, ;легированном путем ионной имплантации гадлия и мышьяка. Установлено, ;что ионное внедрение As и Ga приводит к существенному ослаблению длияния освещения на фотоэлектрические характеристики а — Si ·: Η .