Осциллирующая поверхностная фотоэдс на горячих электронах
Кравченко А.Ф., Овсюк В.Н., Паханов Н.А.
PACS: 73.90.+f, 79.60.Eq
При гелиевых температурах в спектрах, поверхностной фотоэдс в полосе фундаментального поглощения арсенида галлия обнаружены осцилляции, обусловленные взаимодействием ансамбля нетермализован-ных фотоэлектронов с поверхностью полупроводника.