Времена межзонной Оже-рекомбинации с участием спин-орбитально отщепленной валентной зоны в кристаллах GaSb Р-типа
Титков А.Н., Бенеманская Г.В., Илуридзе Г.Н.
PACS: 71.70.Ej, 71.45.-d
В работе впервые определена эффективность межзонной оже-0в-комбинации электронов и дырок с участием спин-Ьрбитально отщепленной валентной зоны в прямозонных полупроводниках р-т*ипа (на примере кристаллов GaSb).