Прыжковая фотопроводимость в n-InSb
Гершензон Е.М., Ильин В.А., Литвак-Горская Л.Б., Филонович С.Р.
PACS: 72.40.+w, 71.55.Dp
Показано, что в предельно очищенном и компенсированном n-InSb реализуется новый вид фотопроводимости прыжковая фо гопроводимостьс