|
|
| VOLUME 32 (1980) | ISSUE 3 |
PAGE 201
|
Светоиндуцированный дрейф электронов в полупроводниках.
Скок Э.М., Шалагин А.М.
PACS: 72.20.-i
Предсказывается возникновение дрейфа свободных электронов в полупроводниках при двухфотонных переходах (типа комбинационного рассеяния) между уровнями Ландау, Асимметрия распределения электронов по скоростям создается за счет селективного по скоростям воздействия излучения и разницы подвижностей электронов на разных уровнях Ландау. Разность потенциалов, Возникающая в результате дрейфа, 6 типичных условиях может достигать значения ^/10*"3В.
|
|
Home
![](/ps/466/article_7371_800_head.png "Предсказывается возникновение дрейфа свободных электронов в полупроводниках при двухфотонных переходах (типа комбинационного рассеяния) между уровнями Ландау, Асимметрия распределения электронов по скоростям создается за счет селективного по скоростям воздействия излучения и разницы подвижностей электронов на разных уровнях Ландау. Разность потенциалов, Возникающая в результате дрейфа, 6 типичных условиях может достигать значения ^/10*"<sup>3</sup>В.")