Анизотропия переноса носителей заряда в инверсионных каналах на высокоиндексных поверхностях кремния
Квон З.Д., Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н., Ягунов Г.А.
PACS: 72.10.Fk
Обнаружена анизотропия рассеяния дырок в инверсионных квантовых каналах :на высокоиндексиых поверхностях кремния, обусловленная наличием одномерных рассеивател^й» Показано, что этими рассеивате-лями :могут :служить поверхностные микрбнеровности, хаотически рас* положенные в направлении, перпендикулярном линии разориентации поверхности .