Распад экситонов на дефекты и поляризованная люминесценция при рекомбинации дефектов в CsBr
Лущик Ч.Б., Васильченко Е.А., Лущик А.Ч., Лущик Н.Е., Соовик Х.А. Тайиров М.М.
PACS: 78.55.Fv; 71.35.+z; 61.70.Dx
Для кристаллов Cs Br при 4,2К обнаружен распад создаваемых фотонами экситонов на френкелевские дефекты (Fй Н-центры). Обратный процесс — стимулированная подсветкой или нагревом рекомбинация Н-центров с F-центрами приводит к созданию автолокализованных экситонов, Дающих характерную поляризованную люминесценцию 3,5 эВ.