Значительное уменьшение порогового поля эффекта Ганна в сильном магнитном поле
Андронов А.А., Валов В.А., Козлов В.А., Мазов Л.С.
PACS: 72.20.My; 72.80.Ey
Приведены результаты численных экспериментов по исследованию междолинного переноса горячих электронов в пGaAs в сильном магнитном поле. Обнаружено, что сильное магнитное поле (В » 50 кГс) уменьшает пороговое поле возникновения падающего участка на вольт-амперной характеристике (ΒΑΧ) и эффекта Ганна в чистых длинных образцах более чем.в два раза при температуре Τ = 77К. Выяснено, что это обстоятельство :является следствием особенностей "убегания" электронов по энергии в сильном магнитном поле, вызванного наличием сильного холловского поля, возникающего в образце.
Home
![](/ps/478/article_7557_800_head.png "Приведены результаты численных экспериментов по исследованию междолинного переноса горячих электронов в <b><i>п</i></b>GaAs в сильном магнитном поле. Обнаружено, что сильное магнитное поле <i>(В </i>» 50 кГс) уменьшает пороговое поле возникновения падающего участка на вольт-амперной характеристике (ΒΑΧ) и эффекта Ганна в чистых длинных образцах более чем.в два раза при температуре <i>Τ </i>= 77К. Выяснено, что это обстоятельство :является следствием особенностей "убегания" электронов по энергии в сильном магнитном поле, вызванного наличием сильного холловского поля, возникающего в образце.")