Многофотонный каскадный процесс и полоса вторичного излучения в полярных полупроводниках
Ланг И.Г., Павлов С.Т., Яшин Г.Ю.
PACS: 78.30.-j
Предсказывается новый вид резонансного комбинационного рассеяния света в полупроводнике при облучении его светом с частотой ωι > > Ε /t + (1 + ™e/mh)o>Lo* Вторичное излучение занимает"полосу частот^ < ω5 < (1 + ™e/mh)~l(col %~ιΕg) -ωιο. Показано, что зависимости сечения рассеяния как от ω8, так Μθτω/ носят ступенчатый характер.
Home
![](/ps/480/article_7594_800_head.png "Предсказывается новый вид резонансного комбинационного рассеяния света в полупроводнике при облучении его светом с частотой <i>ω<sub>ι</sub> > > Ε </i><i>/t </i>+ (1 + <i>™<sub>e</sub>/<sup>m</sup>h</i><i>)o</i><i>>Lo* </i>Вторичное излучение занимает"полосу частот^ < ω<sub>5</sub> < (1 + <i>™<sub>e</sub>/m<sub>h</sub>)~<sup>l</sup>(co<sub>l</sub> %~<sup>ι</sup>Ε<sub>g</sub>) -ω<sub>ιο</sub>. </i>Показано, что зависимости сечения рассеяния как от <i>ω<sub>8</sub></i>, так Μθτω<sub>/</sub> носят ступенчатый характер.")