Влияние термализации электронов на спектры фотоответа структур арсенидгаллия - металл при 1,6К
Альперович В.П., Кравченко А.Ф., Паханов Н.А., Терехов А.С.
PACS: 73.40.Ns
В спектрах фотоответа структур GaAs —металл обнаружены осцилляции, связанные с термализацией горячих фотовозбужденных электронов с испусканием оптических фононов. Выявлен новый канал термали-зации электронов, обусловленный их рассеянием в боковой минимум зоны проводимости.