Влияние вырождения зон на образование многочастичных экситонно-примесных комплексов (ЭmПК)
Кулаковский В.Д.
PACS: 78.60.-b; 71.35.+z; 71.55.Dp
Исследовано влияние одноосной деформации на спектры рекомби-национного излучения (РИ) ЗтПК в Si(P) и Si(B). Показано, что вырождение зон является необходимым условием образования Э ПК.