Развитие неустойчивости и рождение баблонов на заряженной поверхности жидкого гелия
Володин А.П., Хайкин М.С., Эдельман В.С.
PACS: 67.40.-w
Исследованы возникновение и развитие неустойчивости поверхности жидкого гелия^ заряженной локализованными над ней электронами. Установлено, что электроны уходят с поверхности путем образования ныряющих в сверхтекучий гелий "баблонов } пузырьков, содержащих 107— — 108 электронов и имеющих размер 0,05 — 0,3 мм. Баблоны малого диаметра устойчивы и в поле 1 CGSE движутся в гелии с установившейся скоростью ^104 ем/сек.
Home
![](/ps/491/article_7780_800_head.png "Исследованы возникновение и развитие неустойчивости поверхности жидкого гелия^ заряженной локализованными над ней электронами. Установлено, что электроны уходят с поверхности путем образования ныряющих в сверхтекучий гелий "баблонов <sup>}</sup> пузырьков, содержащих 10<sup>7</sup>— — 10<sup>8</sup> электронов и имеющих размер 0,05 — 0,3 <b><i>мм. </i></b>Баблоны малого диаметра устойчивы и в поле 1 CGSE движутся в гелии с установившейся скоростью ^10<sup>4</sup> <b><i>ем/сек.</i></b>")