Коллективный магнитоэкситонный переход под действием света в полосе прозрачности кристалла
Нагаев Э.Г., Соколова Э.Б.
PACS: 78.50.Ge; 75.10.Dg; 71.35.+z
При освещении светом с частотой в полосе пропускания происходит потеря устойчивости основного состояния полупроводников, содержащих ионы с частично заполненными dили /-оболочками относительно рождения на этих ионах экситонов Френкеля.