Резонансное комбинационное рассеяние света в кристаллах антрацена
Броуде В.Л., Максимов А.А., Тартаковский И.И.
PACS: 78.30.Jw; 72.65.Cq
При возбуждении кристаллов антрацена (Г = 4,2 + ЗОК) перестраиваемым лазером на красителе вблизи дна нижайшей экситонной зоны (vo = = 25097 см'1) обнаружено резкое возрастание интенсивности комбинационного рассеяния (КР) света и не менее резкое падение его'интенсив-ности в непосредственной близости к резонансу. Найдена чрезвычайно высокая чувствительность интенсивности КР к интенсивности возбуж -дающего света и к температуре кристалла. Полученные результаты обсуждаются в рамках представления о вынужденном резонансном КР света.