Изменение связности электронной изоэнергетической поверхности у Bi под давлением
Брандт Н.Б., Мощалков В.В., Чудинов С.М.
PACS: 71.25.Pi, 72.15.Gd
Обнаружен индуцированный гидростатическим давлением ρ переход электронной изоэнергетической поверхности у Bi от эллипсоидальной к гантелеобразной, а затем к двусвязной. В области давлений, где сечение "шейки" гантели становится достаточно малым, наблюдается внутризонный магнитный пробой. Показано, что спектр в точке L зоны Бриллюэна у Bi инвертирован и величина перекрытия зон | | 4 τ 7 мэв*
Home
![](/ps/516/article_8158_800_head.png "Обнаружен индуцированный гидростатическим давлением ρ переход электронной изоэнергетической поверхности у Bi от эллипсоидальной к гантелеобразной, а затем к двусвязной. В области давлений, где сечение "шейки" гантели становится достаточно малым, наблюдается внутризонный магнитный пробой. Показано, что спектр в точке <i>L </i>зоны Бриллюэна у Bi инвертирован и величина перекрытия зон | | 4 τ 7 <i>мэв*</i>")