Оптическое выстраивание экситонов
Разбирин Б.С., Мушинский В.П., Караман М.И., Старухин А.Н., Гамарц Е.М.
PACS: 78.60.Dg, 71.80.+j
Обнаружено выстраивание экситонсв в кристалле GaSe при возбуждении линейно поляризованным светом. Впервые наблюдалось деист вие магнитного поля на систему выстроенных экситонов. Измерены эффективные времена жизни экеитона в основном и возбужденном состояниях.