О наблюдении безгистерезисного переключения и статического отрицательного дифференциального сопротивления в пленках аморфных полупроводников
Костылев С.А., Шкут В.А., Крысь В.Я.
Экспериментально показано, что переключение в пленках аморфных полупроводников происходит в два этапаНесмотря на то, что в обоих случаях переключение происходит по линии нагрузки, гистерезис наблюдается лишь после второго этапа* Две стадии переключения разделены устойчивой областью токов, в которой может иметь место статическое отрицательное дифференциальное сопротивление „